IXTN170P10P
Модуль; одиночний транзистор; -100В; -170А; SOT227B; Idm: -510А
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXTN170P10P
Символ TME:
IXTN170P10P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | -100В | |
Струм стока | -170А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 14мОм | |
Струм стоку в імпульсі | -510А | |
Потужність розсіювання | 890Вт | |
Технологія | PolarP™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 240нКл | |
Час готовності | 176нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто30 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXTN170P10PКількість штук (Кратність: 300)
0 на складі TME
Продукт на спеціальне замовлення