IXTN210P10T
Модуль; одиночний транзистор; -100В; -210А; SOT227B; Idm: -800А
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXTN210P10T
Символ TME:
IXTN210P10T
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | -100В | |
Струм стока | -210А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 7,5мОм | |
Струм стоку в імпульсі | -800А | |
Потужність розсіювання | 830Вт | |
Технологія | TrenchP™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 740нКл | |
Час готовності | 200нс | |
Напруга затвор-джерело | ±15В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.13 g
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXTN210P10TКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 47.83 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 47.83 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 44.82 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 44.82 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs