IXTN30N100L
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXTN30N100L
Символ TME:
IXTN30N100L
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 1кВ | |
Струм стока | 30А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 0,45Ом | |
Струм стоку в імпульсі | 70А | |
Потужність розсіювання | 800Вт | |
Технологія | Linear™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 545нКл | |
Час готовності | 1мкс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто30 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXTN30N100LКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 104.09 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 104.09 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 93.72 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 93.72 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 82.77 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 82.77 USD