IXTN32P60P
Модуль; одиночний транзистор; -600В; -32А; SOT227B; Idm: -96А
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXTN32P60P
Символ TME:
IXTN32P60P
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | -600В | |
Струм стока | -32А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 0,35Ом | |
Струм стоку в імпульсі | -96А | |
Потужність розсіювання | 890Вт | |
Технологія | PolarP™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 196нКл | |
Час готовності | 480нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто38.3 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXTN32P60P
0 на складі TME
Кількість штук (Кратність: 1)
Продукт важкодоступний
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 45.82 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 45.82 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 41.23 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 41.23 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 36.41 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 36.41 USD
Спосіб пакування від виробника:Тубус = 10 pcs