IXTN80N30L2
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 80А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXTN80N30L2
Символ TME:
IXTN80N30L2
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 300В | |
Струм стока | 80А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 38мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 200А | |
Потужність розсіювання | 735Вт | |
Технологія | Linear L2™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 660нКл | |
Час готовності | 485нс | |
Напруга затвор-джерело | ±30В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто30 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXTN80N30L2Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 42.78 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 42.78 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 38.55 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 38.55 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 34.08 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 34.08 USD