IXTN8N150L
Модуль; одиночний транзистор; 1,5кВ; 7,5А; SOT227B; Idm: 20А; 545Вт
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXTN8N150L
Символ TME:
IXTN8N150L
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 1,5кВ | |
Струм стока | 7,5А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 3,6Ом | |
Струм стоку в імпульсі | 20А | |
Потужність розсіювання | 545Вт | |
Технологія | Linear™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 250нКл | |
Час готовності | 1,7мкс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто30 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXTN8N150LКількість штук (Кратність: 300)
0 на складі TME
Продукт на спеціальне замовлення