IXTN90P20P
Модуль; одиночний транзистор; -200В; -90А; SOT227B; Idm: -270А
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXTN90P20P
Символ TME:
IXTN90P20P
Специфікація
Виробник | IXYS | ||
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | ||
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | ||
Напруга сток-джерело | -200В | ||
Струм стока | -90А | ||
Корпус | SOT227B | ||
Електричний монтаж | пригвинчуваний | ||
Поляризація | польовий | ||
Опір в стані провідності | 44мОм | ||
Струм стоку в імпульсі | -270А | ||
Потужність розсіювання | 890Вт | ||
Технологія | PolarP™ | ||
Вид каналу | збагачений | ||
Заряд затвора | 205нКл | ||
Час готовності | 315нс | ||
Напруга затвор-джерело | ±30В | ||
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто30 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXTN90P20PКількість штук (Кратність: 300)
0 на складі TME
Продукт на спеціальне замовлення