MSCSM120AM027CD3AG
Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 584А; D3; Idm: 1400А; 2,97кВт
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
MSCSM120AM027CD3AG
Символ TME:
MSCSM120AM027CD3AG
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | ||
Структура напівпровідника | діод SiC/транзистор | ||
Напруга сток-джерело | 1,2кВ | ||
Струм стока | 584А | ||
Корпус | D3 | ||
Топологія | напівміст MOSFET + паралельні діоди | ||
Електричний монтаж | конектори FASTON, пригвинчуваний | ||
Опір в стані провідності | 3,5мОм | ||
Струм стоку в імпульсі | 1400А | ||
Потужність розсіювання | 2,97кВт | ||
Технологія | SiC | ||
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто350 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* MSCSM120AM027CD3AGКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 801.34 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 801.34 EUR
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів