MSCSM120AM08CT3AG
Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 268А; SP3F; Press-in PCB; SiC
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
MSCSM120AM08CT3AG
Символ TME:
MSCSM120AM08CT3AG
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | діод SiC/транзистор | |
Напруга сток-джерело | 1,2кВ | |
Струм стока | 268А | |
Корпус | SP3F | |
Топологія | напівміст MOSFET + паралельні діоди, термістор NTC | |
Електричний монтаж | Press-in PCB | |
Опір в стані провідності | 7,8мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 675А | |
Потужність розсіювання | 1,409кВт | |
Технологія | SiC | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто110 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* MSCSM120AM08CT3AGКількість штук (Кратність: 2)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 2 pcs - 325.60 EURЦіна брутто для партій від 2 pcs - 325.60 EUR
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів