MSCSM120TAM11CTPAG
Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 200А; SP6P; Press-in PCB; SiC
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
MSCSM120TAM11CTPAG
Символ TME:
MSCSM120TAM11CTPAG
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | діод SiC/транзистор | |
Напруга сток-джерело | 1,2кВ | |
Струм стока | 200А | |
Корпус | SP6P | |
Топологія | напівміст MOSFET х3 + паралельні діоди, термістор NTC | |
Електричний монтаж | Press-in PCB | |
Опір в стані провідності | 10,4мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 500А | |
Потужність розсіювання | 1042Вт | |
Технологія | SiC | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто250 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* MSCSM120TAM11CTPAGКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 806.00 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 806.00 USD
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів