VMO550-01F
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
VMO550-01F
Символ TME:
VMO550-01F
Специфікація
Виробник | IXYS | ||
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | ||
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | ||
Напруга сток-джерело | 100В | ||
Струм стока | 590А | ||
Корпус | Y3-DCB | ||
Електричний монтаж | конектори FASTON, пригвинчуваний | ||
Поляризація | польовий | ||
Опір в стані провідності | 2,1мОм | ||
Струм стоку в імпульсі | 2,36кА | ||
Потужність розсіювання | 2,2кВт | ||
Технологія | HiPerFET™ | ||
Вид каналу | збагачений | ||
Заряд затвора | 2мкКл | ||
Час готовності | 300нс | ||
Напруга затвор-джерело | ±20В | ||
Властивості напівпровідникових елементів | виведення Кельвіна | ||
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто50 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* VMO550-01FКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 545.94 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 545.94 USD
Ціна нетто для партій від 2 pcs - 482.51 USDЦіна брутто для партій від 2 pcs - 482.51 USD
Ціна нетто для партій від 4 pcs - 433.81 USDЦіна брутто для партій від 4 pcs - 433.81 USD