VMO550-01F
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
VMO550-01F
Символ TME:
VMO550-01F
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 100В | |
Струм стока | 590А | |
Корпус | Y3-DCB | |
Електричний монтаж | конектори FASTON, пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 2,1мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 2,36кА | |
Потужність розсіювання | 2,2кВт | |
Технологія | HiPerFET™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 2мкКл | |
Час готовності | 300нс | |
Напруга затвор-джерело | ±20В | |
Властивості напівпровідникових елементів | виведення Кельвіна | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто50 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* VMO550-01FКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 483.29 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 483.29 EUR
Ціна нетто для партій від 2 pcs - 427.15 EURЦіна брутто для партій від 2 pcs - 427.15 EUR
Ціна нетто для партій від 4 pcs - 384.02 EURЦіна брутто для партій від 4 pcs - 384.02 EUR