A1C15S12M3
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А
Производитель: STMicroelectronics
Обозначение производителя:
A1C15S12M3
Код TME:
A1C15S12M3
Спецификация
Производитель | STMicroelectronics | |
Тип полупроводникового модуля | IGBT | |
Конструкция диода | диод/транзистор | |
Топология | 3-фазный диодный мост, boost chopper, полумост IGBT x3, термистор NTC | |
Обратное напряжение макс. | 1,2кВ | |
Ток коллектора | 15А | |
Корпус | ACEPACK™1 | |
Применение | двигатели, инвертор | |
Электрический монтаж | Press-in PCB | |
Напряжение затвор - эмиттер | ±20В | |
Ток коллектора в импульсе | 30А | |
Рассеиваемая мощность | 142,8Вт | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто50 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Модули IGBT STMicroelectronics,
* A1C15S12M3Количество штук (Кратность заказа: 1)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 45.55 EURЦена брутто для количества от 1 pcs - 45.55 EUR
Чистая цена для количества от 5 pcs - 40.27 EURЦена брутто для количества от 5 pcs - 40.27 EUR
Чистая цена для количества от 10 pcs - 38.86 EURЦена брутто для количества от 10 pcs - 38.86 EUR