A2C50S65M2
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А
Производитель: STMicroelectronics
Обозначение производителя:
A2C50S65M2
Код TME:
A2C50S65M2
Спецификация
Производитель | STMicroelectronics | ||
Тип полупроводникового модуля | IGBT | ||
Конструкция диода | диод/транзистор | ||
Топология | 3-фазный диодный мост, boost chopper, полумост IGBT x3, термистор NTC | ||
Обратное напряжение макс. | 650В | ||
Ток коллектора | 50А | ||
Корпус | ACEPACK™2 | ||
Применение | двигатели, инвертор | ||
Электрический монтаж | Press-in PCB | ||
Напряжение затвор - эмиттер | ±20В | ||
Ток коллектора в импульсе | 100А | ||
Рассеиваемая мощность | 208Вт | ||
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто50 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Модули IGBT STMicroelectronics,
* A2C50S65M2Количество штук (Кратность заказа: 1)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 76.20 USDЦена брутто для количества от 1 pcs - 76.20 USD