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Hersteller	STMicroelectronics
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	600V
Drainstrom	70A
Gehäuse	ISOTOP
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	55mΩ
Drainstrom im Impuls	44A
Verlustleistung	600W
Technologie	MDmesh™, MESH OVERLAY™, PowerMesh™
Gate-Source Spannung	±30V
Verpackungs-Art	Tube
Mechanische Montage	schraubbar

STE70NM60

Modul; einzelner Transistor; 600V; 70A; ISOTOP; schraubbar; 600W

Technische Daten