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2SC0106T2A1-12

Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.2kV

Hersteller: POWER INTEGRATIONS

Kennzeichnung des Herstellers:
2SC0106T2A1-12
Symbol TME:
2SC0106T2A1-12

Technische Daten

Hersteller
POWER INTEGRATIONS
Typ des Halbleitermoduls
gate driver board
Topologie
IGBT Halbbrücke
Montage
Stiftleiste
Betriebstemperatur
-40...105°C
Technologie
SCALE™-2+
Spannungsklasse
1,2kV
Frequenz
50kHz
Ausgangsstrom
6A
Ausgangs-Art
Steuerung IGBT
Versorgungsspannung
  • 14,5...15,5V DC
Eigenschafte integrierter Schaltkreise
  • galvanische Trennung
  • integrierter DC/DC Wandler
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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2SC0106T2A1-12
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