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APT200GN60J

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APT200GN60J
Symbol TME:
APT200GN60J
MICROCHIP TECHNOLOGY - logo

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
einzelner Transistor
Rückspannung max.
0,6kV
Kollektor-Emitter-Strom
158A
Gehäuse
SOT227B
Anwendung
für Induktionsbelastungen, für UPS, Motoren
Elektrische Montage
schraubbar
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
600A
Technologie
Field Stop, Trench
Verpackungs-Art
Tube
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht30 g
Zertifikate

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