APT35GP120J
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT35GP120J
Symbol TME:
APT35GP120J
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 29A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±30V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 140A | ||
Technologie | POWER MOS 7®, PT | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.43 g
Zertifikate
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* APT35GP120JAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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