APT58F50J
Modul; einzelner Transistor; 500V; 37A; ISOTOP; schraubbar; 540W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT58F50J
Symbol TME:
APT58F50J
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 500V | |
Drainstrom | 37A | |
Gehäuse | ISOTOP | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 65mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 270A | |
Verlustleistung | 540W | |
Technologie | POWER MOS 8® | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* APT58F50J
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