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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	boost chopper x2, NTC Thermistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	60A
Gehäuse	SP3
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	100A
Verlustleistung	280W
Technologie	Field Stop, Trench
Mechanische Montage	schraubbar

APTGL60DDA120T3G

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper x2,NTC Thermistor

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke