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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	gemeinsamer Emitter, Transistor/Transistor
Topologie	IGBT x2
Rückspannung max.	1,7kV
Kollektor-Emitter-Strom	225A
Gehäuse	SP6
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	450A
Verlustleistung	1,25kW
Technologie	Field Stop
Mechanische Montage	schraubbar

APTGT225DU170G

Modul: IGBT; Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter; IGBT x2

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke