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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	200V
Drainstrom	237A
Gehäuse	SP6C
Topologie	boost chopper
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	6mΩ
Drainstrom im Impuls	1268A
Verlustleistung	1136W
Technologie	POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM20DAM05G

Modul; Diode/Transistor; 200V; 237A; SP6C; Idm: 1268A; 1136W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke