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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	200V
Drainstrom	434A
Gehäuse	SP6C
Topologie	einzelner Transistor + Reihendiode + Paralleldiode
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	3,6mΩ
Drainstrom im Impuls	2320A
Verlustleistung	2,27kW
Technologie	FREDFET, POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM20UM03FAG

Modul; Diode/Transistor; 200V; 434A; SP6C; Idm: 2320A; 2,27kW

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke