NEUHEIT
B3DM060120N
Modul: Diodenl; doppelt unabhängig; 1,2kV; If: 60Ax2; SOT227; 360A
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B3DM060120N
Symbol TME:
B3DM060120N
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Typ des Halbleitermoduls | Diodenl | ||
Struktur des Halbleiters | doppelt unabhängig | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Vorwärtsstrom | 60A x2 | ||
Gehäuse | SOT227 | ||
Strom im max. Impuls | 520A | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Vorwärtsstrom max. | 360A | ||
Mechanische Montage | schraubbar | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Schottky | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Technologie | SiC |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* B3DM060120NAnzahl Stück (Vielfache: 150)
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Nettopreis für Mengen von 150 st - 8.56 GBPBruttopreis für Mengen von 150 st - 10.19 GBP