GD2X30MPS06N
Modul: Diodenl; doppelt unabhängig; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; 60A
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
GD2X30MPS06N
Symbol TME:
GD2X30MPS06N
Technische Daten
Hersteller | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Typ des Halbleitermoduls | Diodenl | ||
Struktur des Halbleiters | doppelt unabhängig | ||
Rückspannung max. | 650V | ||
Vorwärtsstrom | 30A x2 | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Vorwärtsspannung max. | 1,5V | ||
Strom im max. Impuls | 0,168kA | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Vorwärtsstrom max. | 60A | ||
Mechanische Montage | schraubbar | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | MPS | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Technologie | SiC | ||
Bereitschaftszeit | 10ns |
Bruttogewicht35.83 g
Zertifikate
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* GD2X30MPS06NAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st