IXFN64N60P
Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 700W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN64N60P
Symbol TME:
IXFN64N60P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 600V | |
Drainstrom | 50A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 96mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 150A | |
Verlustleistung | 700W | |
Technologie | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 200nC | |
Bereitschaftszeit | 200ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.84 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: Transistor modules IXYS,
* IXFN64N60P
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Nettopreis für Mengen von 1 st - 34.03 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 40.50 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 29.55 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 35.16 USD
Nettopreis für Mengen von 20 st - 28.50 USDBruttopreis für Mengen von 20 st - 33.92 USD
Verpackungsmethode durch den Hersteller:Rohr = 10 st