IXTN110N20L2
Modul; einzelner Transistor; 200V; 100A; SOT227B; schraubbar; 735W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN110N20L2
Symbol TME:
IXTN110N20L2
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 200V | |
Drainstrom | 100A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 24mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 275A | |
Verlustleistung | 735W | |
Technologie | Linear L2™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 500nC | |
Bereitschaftszeit | 420ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* IXTN110N20L2Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 100 st - 42.17 USDBruttopreis für Mengen von 100 st - 50.19 USD