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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	75V
Drainstrom	225A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	7mΩ
Drainstrom im Impuls	720A
Verlustleistung	735W
Technologie	Linear L2™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	546nC
Bereitschaftszeit	206ns
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

IXTN240N075L2

Modul; einzelner Transistor; 75V; 225A; SOT227B; schraubbar; 735W

Technische Daten