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MID300-12A4

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
MID300-12A4
Symbol TME:
MID300-12A4

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Diode/Transistor
Topologie
boost chopper
Rückspannung max.
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
220A
Gehäuse
Y3-DCB
Anwendung
Motoren
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
400A
Verlustleistung
1,38kW
Technologie
NPT
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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MID300-12A4
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