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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	3-phasen Brücke IGBT, NTC Thermistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	30A
Gehäuse	E1-Pack
Anwendung	für Pumpen, Lüfter, Motoren
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	75A
Verlustleistung	150W
Technologie	Sonic FRD™, XPT™
Mechanische Montage	schraubbar

MIXA30W1200TML

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 30A

Technische Daten