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MSCGTQ100HD65C1AG

Modul: IGBT; Diode/Transistor; Vienna Rectifier; Urmax: 650V; SP1F

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
MSCGTQ100HD65C1AG
Symbol TME:
MSCGTQ100HD65C1AG

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Diode/Transistor
Topologie
Vienna Rectifier
Rückspannung max.
650V
Kollektor-Emitter-Strom
80A
Gehäuse
SP1F
Technologie
Trench
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht80 g
Zertifikate

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MSCGTQ100HD65C1AG
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