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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	SiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	700V
Drainstrom	278A
Gehäuse	SP6P
Topologie	MOSFET x3 Halbbrücke, NTC Thermistor
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	6,4mΩ
Drainstrom im Impuls	700A
Verlustleistung	966W
Technologie	SiC
Mechanische Montage	schraubbar

MSCSM70TAM05TPAG

Modul; SiC-Diode/Transistor; 700V; 278A; SP6P; Press-in PCB; 966W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke