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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-phasen Brücke IGBT, 3-Phasendiodenbrücke, buck chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	35A
Gehäuse	E3-Pack
Anwendung	Motoren
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	70A
Verlustleistung	225W
Technologie	NPT
Mechanische Montage	schraubbar

MUBW35-12A8

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A

Technische Daten