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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	3-phasen Brücke IGBT
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	20A
Gehäuse	E2-Pack
Anwendung	Motoren
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	35A
Verlustleistung	140W
Technologie	NPT
Mechanische Montage	schraubbar

MWI15-12A7

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 20A

Technische Daten