STGE200NB60S
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGE200NB60S
Symbol TME:
STGE200NB60S
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 0,6kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 150A | ||
Gehäuse | ISOTOP | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 400A | ||
Verlustleistung | 600W | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.78 g
Zertifikate
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* STGE200NB60SAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st