STGE200NB60S
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGE200NB60S
Symbol TME:
STGE200NB60S
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 0,6kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 150A | ||
Gehäuse | ISOTOP | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 400A | ||
Verlustleistung | 600W | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.78 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module STMicroelectronics,
* STGE200NB60SAnzahl Stück (Vielfache: 1)
31 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 22.10 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 26.30 EUR
Nettopreis für Mengen von 2 st - 20.60 EURBruttopreis für Mengen von 2 st - 24.52 EUR
Nettopreis für Mengen von 5 st - 18.90 EURBruttopreis für Mengen von 5 st - 22.50 EUR
Nettopreis für Mengen von 10 st - 18.00 EURBruttopreis für Mengen von 10 st - 21.42 EUR
Nettopreis für Mengen von 20 st - 17.40 EURBruttopreis für Mengen von 20 st - 20.71 EUR
Nettopreis für Mengen von 50 st - 16.60 EURBruttopreis für Mengen von 50 st - 19.76 EUR
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st