STL8DN10LF3
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 20A; Idm: 31,2A; 70W
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STL8DN10LF3
Symbol TME:
STL8DN10LF3
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | ||
Transistor-Typ | N-MOSFET x2 | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 20A | ||
Drainstrom im Impuls | 31,2A | ||
Verlustleistung | 70W | ||
Gehäuse | PowerFLAT 5x6 | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Widerstand im Leitungszustand | 35mΩ | ||
Montage | SMD | ||
Gate-Ladung | 20,5nC | ||
Verpackungs-Art | Band, Rolle | ||
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* STL8DN10LF3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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