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VUM85-05A

Modul; Diode/Transistor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW


Hersteller: IXYS

Hersteller-Nr.:
VUM85-05A
Symbol TME:
VUM85-05A

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
Diode/Transistor
Drain-Source Spannung
500V
Drainstrom
130A
Gehäuse
V2-Pack
Topologie
3-phase PFC
Elektrische Montage
Press-in PCB
Polarisierung
unipolar
Widerstand im Leitungszustand
36mΩ
Drainstrom im Impuls
520A
Verlustleistung
1,38kW
Gate-Source Spannung
±20V
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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VUM85-05A
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