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VVZB120-16IOX

Modul: IGBT; Diode/Thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV


Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
VVZB120-16IOX
Symbol TME:
VVZB120-16IOX

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Diode/Thyristor/IGBT
Topologie
3-phasige Dioden-Thyristor-Brücke, boost chopper
Rückspannung max.
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
180A
Gehäuse
V2-Pack
Anwendung
Wechselrichter
Elektrische Montage
Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
300A
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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VVZB120-16IOX
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