VVZB120-16IOX
Modul: IGBT; Diode/Thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
VVZB120-16IOX
Symbol TME:
VVZB120-16IOX
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Thyristor/IGBT | ||
Topologie | 3-phasige Dioden-Thyristor-Brücke, boost chopper | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 180A | ||
Gehäuse | V2-Pack | ||
Anwendung | Wechselrichter | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 300A | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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* VVZB120-16IOXAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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