+1 500 000 toodet pakkumises
6000 iga päev välja saadetavat pakki
+300 000 klienti 150 riigis
Teatame, et kuupäeval 12.07.2026. ajavahemikus 08:00 -11:00 (CEST) võib esineda probleeme juurdepääsuga teenusele ja on-line tellimisele. Vabandame ebamugavuste pärast.
Palun võtke ühendust oma turuesindajaga. Kutsuge meid veebikoosolekule.
Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Type of transistor | IGBT | ||
Technology | Field Stop, SiC SBD, Trench | ||
Collector-emitter voltage | 650V | ||
Collector current | 50A | ||
Power dissipation | 357W | ||
Case | TO247-4 | ||
Gate-emitter voltage | ±20V | ||
Pulsed collector current | 200A | ||
Mounting | THT | ||
Gate charge | 308nC | ||
Kind of package | tube | ||
Turn-on time | 54ns | ||
Turn-off time | 476ns | ||
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |