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B2D04065E1

Diodo: rectificador de barrera Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 650V

El productor: BASiC SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
B2D04065E1
Símbolo TME:
B2D04065E1
BASiC SEMICONDUCTOR - logo

Especificación

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de diodo
rectificador de barrera Schottky
Carcasa
TO252-2
Tecnología
SiC
Montaje
SMD
Tensión de retorno máx.
650V
Corriente conductiva
4A
Estructura del semiconductor
diodo individual
Corriente conductiva máx.
1,6V
Corriente de fuga
20µA
Corriente en impulso max.
31A
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Poder disipado
39W
Peso bruto0.396 g
Certificados

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B2D04065E1
2451 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.85 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.03 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.77 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.93 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.68 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.82 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.60 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.73 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
El producto está disponible hasta fin de existencias
Método de envasado por el fabricanteRulo = 2 500 und