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2SC0435T2H0-17

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

Fabricant: POWER INTEGRATIONS

Marque du fabricant:
2SC0435T2H0-17
Référence TME:
2SC0435T2H0-17

Spécification

Fabricant
POWER INTEGRATIONS
Type de module semi-conducteur
gate driver board
Topologie
demi-pont IGBT, demi-pont MOSFET
Montage
chaîne de broches
Température de travail
-40...85°C
La technologie
SCALE™-2+
Classe de tension
1,7kV
Fréquence
0,1MHz
Courant de base
35A
Genre de sortie
driver IGBT
Tension d'alimentation
  • 14,5...15,5V DC
Caractéristiques des circuits intégrés
  • convertisseur intégré DC/DC
  • séparation galvanique
Poids brut50 g
Certificates
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2SC0435T2H0-17
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 98.83 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 118.60 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 92.61 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 111.13 USD
Prix net pour les quantités de 24 pcs - 88.72 USDPrix brut pour les quantités de 24 pcs - 106.47 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)