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A1C15S12M3

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
A1C15S12M3
Référence TME:
A1C15S12M3
STMicroelectronics - logo

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper, demi-pont IGBT x3, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
15A
Boîtier
ACEPACK™1
Utilisation
moteurs, onduleur
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
30A
Puissance de dissipation
142,8W
Montage mécanique
vissés
Poids brut50 g
Certificates
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A1C15S12M3
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 52.88 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 63.46 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 46.74 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 56.09 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 45.10 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 54.12 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)