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A1P35S12M3

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT x3; Ic: 35A

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
A1P35S12M3
Référence TME:
A1P35S12M3
STMicroelectronics - logo

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
demi-pont IGBT x3, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
35A
Boîtier
ACEPACK™1
Utilisation
moteurs, onduleur
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
70A
Puissance de dissipation
250W
Montage mécanique
vissés
Poids brut24.84 g
Certificates
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A1P35S12M3
12 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 44.44 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 53.33 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantCarton = 18 pcs