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AOTF10B60D2

Transistor: IGBT; 600V; 10A; 12W; TO220F; Earr: 0,04mJ; Eact: 0,14mJ


Fabricant: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
AOTF10B60D2
Référence TME:
AOTF10B60D2

Spécification

Fabricant
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
10A
Puissance de dissipation
12W
Boîtier
TO220F
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
20A
Montage
THT
Charge d'entrée
9,4nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
26ns
Temps d'extinction
124ns
Tension de saturation collecteur-émetteur
1,55V
Energie d'arrêt
0,04mJ
Energie d'activation
0,14mJ
Poids brut1.78 g
Certificates
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AOTF10B60D2
176 dans l'entrepôt TME
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs