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Fabricant	MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor	IGBT
La technologie	NPT, POWER MOS 8®
Tensions collecteur-émetteur	650V
Courant du collecteur	56A
Puissance de dissipation	543W
Boîtier	TO247-3
Tension entrée - émetteur	±30V
Courant du collecteur d'impulsion	224A
Montage	THT
Charge d'entrée	150nC
Genre de la emballage	tube
Temps de connection	47ns
Temps d'extinction	175ns
Statut de la pièce	Non recommandé aux nouveaux projets

APT45GR65B

Transistor: IGBT; NPT; 650V; 56A; 543W; TO247-3

Spécification

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. est un importateur des produits de cette marque