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APT50GN120B2G

Transistor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 66A; 543W; T-Max

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT50GN120B2G
Référence TME:
APT50GN120B2G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
66A
Puissance de dissipation
543W
Boîtier
T-Max
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage
THT
Charge d'entrée
315nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
55ns
Temps d'extinction
0,6µs
Poids brut6 g
Certificates

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APT50GN120B2G
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 16.24 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 19.48 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 14.54 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 17.45 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 12.86 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 15.43 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.