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APT50GN60BDQ3G

Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 64A; 366W; TO247-3

Famille de produits

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT50GN60BDQ3G
Référence TME:
APT50GN60BDQ3G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
64A
Puissance de dissipation
366W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage
THT
Charge d'entrée
325nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
45ns
Temps d'extinction
0,4µs
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.135 g
Certificates

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APT50GN60BDQ3G
1 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 8.83 GBPPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 10.59 GBP
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 8.76 GBPPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 10.51 GBP
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
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