APT75GT120JRDQ3
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APT75GT120JRDQ3
Référence TME:
APT75GT120JRDQ3
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de module semi-conducteur | IGBT | ||
Construction de semi-conducteur | transistor simple | ||
Tension inverse max. | 1,2kV | ||
Courant du collecteur | 57A | ||
Boîtier | SOT227B | ||
Montage électrique | vissés | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 300A | ||
La technologie | NPT, POWER MOS 7® | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Montage mécanique | vissés |
Poids brut30 g
Certificates
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* APT75GT120JRDQ3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 58.22 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 69.86 EUR
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 52.40 EURPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 62.88 EUR
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 46.30 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 55.56 EUR
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