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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de transistor | IGBT | ||
La technologie | NPT, POWER MOS 8® | ||
Tensions collecteur-émetteur | 650V | ||
Courant du collecteur | 100A | ||
Puissance de dissipation | 892W | ||
Boîtier | T-Max | ||
Tension entrée - émetteur | ±30V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 400A | ||
Montage | THT | ||
Charge d'entrée | 312nC | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Temps de connection | 105ns | ||
Temps d'extinction | 336ns |