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APTM10DSKM09T3G

Module; diode/transistor; 100V; 100A; SP3; Press-in PCB; Idm: 430A

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APTM10DSKM09T3G
Référence TME:
APTM10DSKM09T3G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Tension drain-source
100V
Courant du drain
100A
Boîtier
SP3
Topologie
buck chopper x2, thermistor NTC
Montage électrique
Press-in PCB
Résistance en état de conduction
10mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
430A
Puissance de dissipation
390W
La technologie
POWER MOS 5®
Tension entrée-source
±30V
Montage mécanique
vissés
Poids brut110 g
Certificates

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APTM10DSKM09T3G
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Prix net pour les quantités de 12 pcs - 66.04 EURPrix brut pour les quantités de 12 pcs - 79.26 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 12)