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B1D10065H

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B1D10065H
Référence TME:
B1D10065H

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de diode
redressement Schottky
La technologie
SiC
Montage
THT
Tension inverse max.
650V
Courant de conduction
10A
Construction de semi-conducteur
diode simple
Boîtier
TO247-2
Tension de conduction max.
1,75V
Courant d'impulsion max.
75A
courant de fuite
20µA
Puissance de dissipation
68W
Genre de la emballage
tube
Poids brut5.94 g
Certificates

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B1D10065H
3 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.79 GBPPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.14 GBP
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 1.61 GBPPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 1.93 GBP
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 1.42 GBPPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 1.70 GBP
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 1.19 GBPPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 1.43 GBP
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 1.15 GBPPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 1.38 GBP
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs